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Descripción: Transistor de mediana potencia tipo PNP, No. De pines: 3, Características: Voltaje Colector-Base(Vcbo): -100V, Voltaje Colector-Emisor(Vceo): -100V, Voltaje Emisor-Base(Vebo): -5V, Corriente de colector: -3A, hFE: 10-50
Descripción: Transistor de mediana potencia tipo NPN(TIP 41) y PNP(TIP 42), No.de pines: 3, Características: Voltaje Colector-Base(Vcbo): 100V(TIP 41) -100V(TIP 42), Voltaje Colector-Emisor(Vceo): 100V(TIP 41) -100V(TIP 42), Voltaje Emisor-Base: 5V(TIP 41) -5V(TIP 42), Corriente de colector: 6A(TIP 41) -6A(TIP 42), hFE= 15-75
Descripción: Mosfet de potencia Canal tipo N, No. De pines: 3, Características: Voltaje de drenaje(Vdss): 60V, Resistencia de drenaje (Rds): 0.028 Ohms, Corriente de drenaje(Id): 50A, Potencia máxima de disipación: 150W
Descripción: Mosfet de potencia Canal tipo N, No. De pines: 3, Características: Voltaje de drenaje(Vdss): 100V, Resistencia de drenaje: 0.077Ohms a 0.100Ohms, Corriente de drenaje(Id): 28A, Potencia máxima de disipación: 150W
Descripción: Mosfet de potencia Canal tipo N, No. De pines: 3, Características: Voltaje de drenaje(Vd): 200V, Resistencia de drenaje(Rd): 0.400Ohms, Corriente de drenaje(Id): 9A, Potencia máxima de disipación: 75W